CAPACITIVE MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SENSORS WITH SINGLE CRYSTAL SILICON ELECTRODES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide capacitive sensors with single crystal silicon on all key stress points.SOLUTION: Isolating trenches are formed by trench and refill forming dielectrically isolated conductive silicon electrodes for drive, sense, and guards. For pressure sensing devices according to the invention, the pressure port is opposed to the electrical wire bond pads for ease of packaging. Dual-axis accelerometers measuring in plane acceleration and out of plane acceleration are also described. A third axis in plane is easy to achieve by duplicating and rotating the accelerometer 90 degrees about its out of plane axis. Creating resonant structures, angular rate sensors, bolometers, and many other structures are possible with this process technology. Key advantages are hermeticity, vertical vias, vertical and horizontal gap capability, single crystal materials, wafer level packaging, small size, high performance, and low cost. 【課題】全ての重要な応力作用点に単結晶シリコンを備えた容量性センサーを提供する。【解決手段】絶縁トレンチが、駆動、検知及び防護のために電媒質的に絶縁された導電性シリコン電極を形成する補充物及びトレンチによって形成される。この発明による圧力検知装置において、圧力ポートは、パッケージングの容易性のため、ワイヤーボンド・パッドの反対側とされる。面内加速度と面外加速度を計測する二重軸加速度計も記述される。加速度計を複製してその面外軸の周りで９０゜回転させることによって面内第３軸を容易に得ることができる。共振構造、角速度センサー、ボロメーター及び他の多くの構造の創成が、このプロセス技術によって可能である。重要な利点は、密閉性、縦方向バイア、垂直及び水平ギャップ能力、単結晶材料、ウエハ・レベルのパッケージング、小寸法、高性能及び低コストである。【選択図】図１