PATTERN FORMATION METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern formation method having a lithography method capable of forming a desired pattern in a short process.SOLUTION: In the pattern formation method: a neutralized film 16 having affinity with first polymer and second polymer is formed on a ground region 14; first pinning portions 16d, 16e having affinity with the first polymer is formed by irradiating a first region of the neutralized film with energy rays; a block copolymer film including the first polymer and the second polymer is formed on the neutralized film including the first pinning portions; and a pattern having first and second portions 26a formed by the first polymer and third portions 28a each formed between the first portion and the second portion by the second polymer is formed on the first pinning portions by applying predetermined processing to the block copolymer film and performing microphase separation. 【課題】短い工程で所望のパターンを形成することが可能なリソグラフィ方法を有するパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、下地領域１４上に、第１のポリマー及び第２のポリマーに対して親和性を有する中性化膜１６を形成し、中性化膜の第１の領域にエネルギー線を照射して、第１のポリマーに対して親和性を有する第１のピニング部１６ｄ、１６ｅを形成し、第１のピニング部を含む中性化膜上に第１のポリマー及び第２のポリマーを含むブロックコポリマー膜を形成し、ブロックコポリマー膜に対して所定の処理を施してミクロ相分離を行うことにより、第１のピニング部上に、第１のポリマーで形成された第１及び第２の部分２６ａと、第１の部分と第２の部分との間に設けられ且つ第２のポリマーで形成された第３の部分２８ａとを有するパターンを形成する。【選択図】図７