METHOD OF INCREASING TARGET UTILIZATION IN ION BEAM DEPOSITION TOOL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of increasing a target utilization and a target life in a sputtering deposition tool.SOLUTION: In a sputtering deposition tool 100 of a type in which an ion source generates a beam directed to a sputtering target, the sputtering target includes an elongated...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: VICTOR L CASTRO, MARIO B ROQUE
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of increasing a target utilization and a target life in a sputtering deposition tool.SOLUTION: In a sputtering deposition tool 100 of a type in which an ion source generates a beam directed to a sputtering target, the sputtering target includes an elongated external skirt 102 and substantially circular insert 103 positioned within the skirt 102. The surfaces of the skirt 102 and the insert 103 are relatively coplanar and form a target surface. An elongated dimension of the skirt 102 is coaxially directed to the ion source. The insert 103 is rotated within the skirt 102 to one of a plurality of positions during use of the target by the sputtering deposition tool to distribute wear of the target around the rotating insert. 【課題】スパッタリング成膜ツールにおけるターゲットの利用率及びターゲットの寿命を増大させる方法の提供。【解決手段】イオン源がスパッタリングターゲットに向けられたビームを発生させる種類のスパッタ成膜ツール100において、スパッタリングターゲットは細長い外部スカート102及びスカート102内に位置するほぼ円形の挿入部103を含み、スカート102及び挿入部103の表面は相対的に同一平面上にあり、ターゲットの表面を形成し、スカート102の細長い寸法はイオン源の方向に同軸であり、挿入部103はスパッタ成膜ツールによるターゲットの使用の間、スカート内102で複数の位置のうちの1つに回転され、ターゲットの損耗を回転挿入部の周りに分布させる方法。【選択図】図1