GRAPHENE ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート（ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｇａｔｅ）上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に１つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図１ The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plural...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | 【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート（ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｇａｔｅ）上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に１つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図１
The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel. |
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