LAMP FOR RAPID THERMAL PROCESSING CHAMBER

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an additional method to improve heat dissipation away from a lamp, a lamp base, and a lamp head/reflection sleeve.SOLUTION: There is disclosed a lamp assembly adapted for use in heating a substrate to temperatures up to at least about 1,100°C in a substrate thermal p...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JOSEPH MICHAEL RANISH, SOBHRAJ CRUSHED
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS BLASTING ELECTRIC HEATING ELECTRIC INCANDESCENT LAMPS ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY HEATING INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21Sand F21V, RELATING TO THEFORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THELIGHT EMITTED LIGHTING MECHANICAL ENGINEERING WEAPONS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an additional method to improve heat dissipation away from a lamp, a lamp base, and a lamp head/reflection sleeve.SOLUTION: There is disclosed a lamp assembly adapted for use in heating a substrate to temperatures up to at least about 1,100°C in a substrate thermal processing chamber. In one embodiment, the lamp assembly includes: a bulb enclosing at least one radiation generating filament attached to a pair of leads; a lamp base configured to receive the pair of leads; a sleeve having a wall thickness of at least about 0.013 inches; and a potting compound having a thermal conductivity greater than about 100 W/(K-m). 【課題】ランプ、ランプベース、及びランプヘッド／反射スリーブからの熱の消散を改善するための付加的な方法を提供する。【解決手段】基板熱処理チャンバにおいて基板を少なくとも約１１００℃までの温度に加熱するのに使用するよう適応されるランプアセンブリが開示されている。一実施形態において、このランプアセンブリは、一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲する電球と、一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、壁厚が少なくとも約０．０１３インチのスリーブと、熱伝導率が約１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）より大きいポッティングコンパウンドとを備えている。【選択図】図２