THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A thin film transistor has a substrate and a buffer layer placed on the substrate. The buffer layer has n-layers (n≥3) of silicon nitride layers and a first silicon oxide layer placed on the n-layers of silicon nitride layers. The two neighboring silicon nitride layers of the n-layers silicon nitride layers have densities different from each other. The thin film transistor of the present embodiment can reinforce blocking capability of the buffer layer by forming the buffer layer having a structure in which the n-layers silicon nitride layers and one-layer of silicon oxide layer are laminated by changing a deposition structure and a deposition film quality. Accordingly, upward diffusion of a metal ion in the glass substrate can be effectively blocked and formation of a defect center of the polysilicon layer can be reduced and leakage current can be decreased. In addition, quality of a boundary face of a rear face of polysilicon can be improved, and formation of a path for current leakage to the boundary face of the rear face of polysilicon can be prevented, and stability of the polysilicon layer can be improved. 【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板及び前記基板に設置されたバッファー層を有し、前記バッファー層は、ｎ層（ｎ ３）の窒化ケイ素層と、前記ｎ層の窒化ケイ素層の上に設置された第１酸化ケイ素層と、を有し、前記ｎ層の窒化ケイ素層のうちの隣接する２つの窒化ケイ素層の密度が異なる。本発明の薄膜トランジスタは、成膜構造及び成膜膜質を変更して、ｎ層の窒化ケイ素層と１層の酸化ケイ素層とを積み重ねる構造を有するバッファー層を形成することによって、バッファー層の阻止能力を強化できる。このため、ガラス基板における金属イオンの上方への拡散を有効に阻止でき、ポリシリコン層の欠陥中心の形成を減少でき、リーク電流を降下できる。そして、ポリシリコンの背面の界面の品質を改善し、ポリシリコンの背面の界面に電流がリークする経路を形成することを防止でき、ポリシリコン層の安定性を向上させることができる。【選択図】図２