SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which ensures an original current detection function while inhibiting the occurrence of surge in a sense current.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a surface p layer, an nlayer, a p type channel diffusion layer 115, an in-base diffusion layer (p type emitter layer) 116, interlayer insulation film (insulation film layer) and emitter electrodes 125, 127, which are sequentially laminated; and a plurality of contact holes 130 which pierce gaps between the emitter electrodes 125, 127 and the in-base diffusion layer 116. The semiconductor device comprises a functional region which is isolated into a main region 10M used for conduction of power and a sense region 10S for detecting an amount of a current flowing into the semiconductor device. The p type channel diffusion layer 115 and the in-base diffusion layer 116 are connected with the emitter electrode 125 on the main region side between the emitter electrodes 125, 127 via the contact hole 130 to form a hole capture region P and capture a Hall current supplied to the sense region 10S to the main region 10M. 【課題】センス電流におけるサージの発生を抑制しつつ、本来の電流検知機能を確保した半導体装置を提供する。【解決手段】表面ｐ層、ｎ−層、ｐ型チャネル拡散層１１５、インベース拡散層（ｐ型エミッタ層）１１６、層間絶縁膜（絶縁膜層）、エミッタ電極１２５、１２７が順序積層されるとともに、エミッタ電極１２５、１２７とインベース拡散層１１６との間を貫通するコンタクトホール１３０が複数設けられる。半導体装置の機能領域が、電力の通電に用いられるメイン領域１０Ｍと、半導体装置に流入する電流量を検出するセンス領域１０Ｓとに区分けされる。ｐ型チャネル拡散層１１５およびインベース拡散層１１６は、エミッタ電極１２５、１２７のうちメイン領域側のエミッタ電極１２５とコンタクトホール１３０を介して接続されてホール取り込み領域Ｐを形成し、センス領域１０Ｓに供給されたホール電流をメイン領域１０Ｍに取り込む。【選択図】図６