SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which improves in-plane uniformity of a contact resistance value between a semiconductor element and an ohmic electrode.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: a temperature maintenance process of maintaining a temperature within a range of a first temperature range for 30 seconds to 150 seconds in a temperature rising period before an annealing process of forming an ohmic electrode by annealing a multilayer metal layer. The first temperature range is a temperature within a range from a temperature lower the lowest melting point which s the lowest melting point among melting points of respective layers of the multilayer metal layer by 100°C to the lowest melting point. Temperature rising for proceeding to the annealing process after the temperature maintenance process is performed at a rate of temperature rise from 5°C/sec to 20°C/sec so as not to impair in-plane temperature uniformity of a wafer formed in the temperature maintenance process. 【課題】本発明は、半導体素子とオーミック電極の間のコンタクト抵抗値のウエハ面内均一性を向上させる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】多層金属層をアニールしてオーミック電極を形成するアニール工程の前の昇温過程に、第１温度範囲の範囲内の温度を３０秒から１５０秒維持する温度維持工程を設ける。第１温度範囲とは、該多層金属層の各層の融点のうち最も低い融点である最低融点より１００℃低い温度から該最低融点までの範囲の温度である。温度維持工程後にアニール工程に進むための昇温は、該温度維持工程で形成されたウエハ面内の温度均一性を損なわないように５℃／秒から２０℃／秒の昇温速度で炉内温度を昇温する。【選択図】図２