SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fabricating from lightly doped n- or p-type crystals SiC wafers having enough quality for use as a base layer of a high voltage power device, and to provide a novel semiconductor structure capable of blocking very high voltage.SOLUTION: This method realizes a cost solution lower than conventional CVD growth of a thick lightly doped layer on a low resistivity SiC substrate. Instead of using a highly doped substrate, which in the case of a vertical power device represents an unnecessary additional resistance, the device of this invention uses a lightly doped wafer as an n-drift zone. 【課題】本発明の第一の目的は、低不純物ｎ型又はｐ型結晶から、高電圧パワーデバイスのベース層として使用できる質を有するＳｉＣウェーハを作製するための方法である。本発明の第二の目的は、非常に高い電圧を阻止することができる新規な半導体構造である。【解決手段】この方法は、低い抵抗率のＳｉＣ基板における厚い低不純物層の従来のＣＶＤ成長より低いコストソリューションを可能にする。縦型パワーデバイスでは不要な付加的な抵抗を表す高不純物基板を使用する代わりに、本発明のデバイスはｎドリフト領域として低不純物ウェーハを使用する。【選択図】図２