LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode structure.SOLUTION: A light emitting diode structure comprises a first type semiconductor layer, a luminescent layer, a second type semiconductor layer, a plurality of first light extraction improving structures and a transparent conductive layer. The luminescent layer is provided in a part of the first type semiconductor layer. The second type semiconductor layer is provided on the luminescent layer and has a refraction index of n1. The first light extraction improving structures are provided on the second type semiconductor layer and has a refractive index of n2. The plurality of first light extraction improving structures are partitioned from each other and each has at least one light emission inclined plane inclined with respect to a top surface of the second type semiconductor layer. The transparent conductive layer conformably covers the first light extraction improving structures and the second type semiconductor layer and has a refractive index of n3 where n2>n3. 【課題】発光ダイオード構造を提供する。【解決手段】発光ダイオード構造は、第１型半導体層と、発光層と、第２型半導体層と、複数の第１光取り出し向上構造と、透明導電層と、を含む。発光層は、第１型半導体層の一部に設けられる。第２型半導体層は、発光層上に設けられ、屈折率がｎ１である。第１光取り出し向上構造は、第２型半導体層上に設けられ、屈折率がｎ２である。複数の第１光取り出し向上構造のそれぞれは、互いに仕切られ、何れも第２型半導体層の上表面に対して傾斜している少なくとも１つの出光斜面を有する。透明導電層は、第１光取り出し向上構造及び第２型半導体層を順応に（ｃｏｎｆｏｒｍａｂｌｙ）覆い、屈折率がｎ３であり、ｎ２＞ｎ３である。【選択図】図１