NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To keep parasitic capacitance due to wiring low wile ensuring a wiring width and improve switching characteristics while maintaining high voltage withstanding and a high current.SOLUTION: A nitride semiconductor device comprises: a buffer layer 12, an electron transit layer 13 and an electron supply layer 14 which are provided on a substrate 11; a 2DEG layer a generated at an interface of the electron transit layer 13 with the electron supply layer 14; a cathode electrode 18 and cathode wiring 19 which are selectively stacked on the electron supply layer 14; a 2DEG non-generating region 13a provided on the cathode electrode 18 part, for inhibiting generation of 2DEG; an anode electrode 16 which forms Schottky contacts with the 2DEG layer a in a lower layer of the field plate layer 15 and the electron supply layer 14 from lateral faces to ground the 2DEG layer a; and a dielectric layer 21 provided so as to cover the 2DEG non-generating region 13a while ensuring a contact part 21a. The cathode electrode 18 forms ohmic contact with the 2DEG layer a through the contact part 21a while covering the dielectric layer 21. 【課題】配線幅を確保しつつ配線による寄生容量を低く抑えて、高耐圧かつ大電流を維持しつつスイッチング特性を向上させること。【解決手段】基板１１にバッファ層１２、電子走行層１３、電子供給層１４を設ける。電子走行層１３の電子供給層１４との界面に２ＤＥＧ層ａが生じる。電子供給層１４上に選択的にカソード電極１８およびカソード配線１９を積層する。カソード電極１８部分に、２ＤＥＧの発生を抑制する２ＤＥＧ非発生領域１３ａを設ける。アノード電極１６は、フィールドプレート層１５および電子供給層１４の下層の２ＤＥＧ層ａに側面からショットキー接触し、接地させる。コンタクト部２１ａを確保しつつ２ＤＥＧ非発生領域１３ａを覆うように誘電体層２１を設ける。カソード電極１８は誘電体層２１を覆いつつ、コンタクト部２１ａを通じて２ＤＥＧ層ａとオーミック接触する。【選択図】図２