SEMICONDUCTOR ELEMENT

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element capable of reducing junction capacitance and having a side surface of a semiconductor layer stabilized.SOLUTION: A semiconductor element 10 includes a collector contact layer 16 formed in a high-concentration N-type semiconductor layer. In the collector contact layer 16, the following are stacked: an N-type collector layer 15; a base layer 14 that is a high-concentration P-type semiconductor layer stacked on the collector layer 15 and including an upper surface 14a; and an N-type emitter layer 11 stacked on a part of the upper surface 14a. On a joint surface of the base layer 14 and collector layer 15, a base collector layer joint part 18 is formed. An inactive part 19 is provided outside an outer end part of a base electrode 13 on the upper surface 14a in a plan view. The inactive part 19 is formed by ion implantation of one element, which is selected from a group consisting of helium and argon, to the first and second semiconductor layer. The inactive part 19 extends from the upper surface 14a to below the base collector layer joint part 18. 【課題】接合容量を減らすことができるとともに半導体層の側面が安定化された半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子１０は、高濃度Ｎ型半導体層で形成されるコレクタコンタクト層１６を備えている。コレクタコンタクト層１６には、Ｎ型のコレクタ層１５と、コレクタ層１５に積層され上面１４ａを備えた高濃度Ｐ型半導体層であるベース層１４と、上面１４ａの一部に積層されたＮ型のエミッタ層１１とが積層されている。ベース層１４とコレクタ層１５の接合面に、ベースコレクタ層接合部１８が形成されている。不活性部１９が、平面視で上面１４ａにおけるベース電極１３の外側端部よりも外側に設けられている。不活性部１９は、ヘリウムおよびアルゴンからなる群から選択した１の元素が第１、２半導体層にイオン注入されることで形成される。不活性部１９は、上面１４ａからベースコレクタ層接合部１８よりも下方まで伸びている。【選択図】図１