SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having reduced on-resistance, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.SOLUTION: A trench groove 7 is formed in an IGBT50. The trench groove 7 penetrates an N-type emitter region 5 and a p-type base region 4, and reaches a region of an N-type semiconductor layer 3. In the trench groove 7, a trench gate electrode 10 is formed with a gate oxide film 8 interposed on a sidewall surface of the trench groove 7. An interlayer insulating film 9 is formed as an insulator so as to cover the trench gate electrode 10 and protrude from an upper surface thereof. A deposition film 14 having tensile stress is formed so as to cover the trench gate electrode 10 and the interlayer insulating film 9. 【課題】オン抵抗のさらなる低減が図られる半導体装置と、その製造方法とを提供する。【解決手段】ＩＧＢＴ５０では、Ｎ型エミッタ領域５、Ｐ型ベース領域４を貫いて、Ｎ型半導体層３の領域に達するトレンチ溝７が形成されている。トレンチ溝７内には、トレンチ溝７の側壁面にゲート酸化膜８を介在させてトレンチゲート電極１０が形成されている。トレンチゲート電極１０を覆い、その上面から突出するように、絶縁体としての層間絶縁膜９が形成されている。トレンチゲート電極１０および層間絶縁膜９を覆うように、引っ張り応力を有する堆積膜１４が形成されている。【選択図】図１