ELECTRONIC DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electronic device exhibiting better bonding reliability even when used under a high temperature environment, while preventing excessive rise of solder melting point, in an electronic device manufactured by mounting an electronic component on a lead frame, and then...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | HAYASHI EIJI SAKAMOTO ZENJI TERUI KENICHIRO |
| description | PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electronic device exhibiting better bonding reliability even when used under a high temperature environment, while preventing excessive rise of solder melting point, in an electronic device manufactured by mounting an electronic component on a lead frame, and then soldering the electronic component and lead frame.SOLUTION: An electronic device includes a lead frame 10, an electronic component 20 mounted on the lead frame 10, and a solder 30 interposed between the lead frame 10 and electronic component 20, and joining them. The lead frame 10 is composed only of Cu and Ni, where 0.09-0.40 wt% of Ni is contained for the total weight of the lead frame 10, and 0.03-0.19 wt% of Ni is contained for the total weight of the solder 30.
【課題】リードフレーム上に電子部品を搭載して、電子部品とリードフレームとをはんだ接合してなる電子装置において、はんだ融点の過上昇を防止しつつ、高温環境下で使用した場合でも、より接合信頼性に優れる電子装置を実現する。【解決手段】リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に搭載された電子部品２０と、リードフレーム１０と電子部品２０との間に介在し、リードフレーム１０と電子部品２０とを接合するはんだ３０と、を備え、リードフレーム１０は、ＣｕとＮｉとのみよりなるものであって、当該リードフレーム１０の総重量に対してＮｉが０．０９重量％以上０．４０重量％以下含有されたものであり、はんだ３０は、当該はんだ３０の総重量に対してＮｉが０．０３重量％以上０．１９重量％以下含有されたものである。【選択図】図１ |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_JP2015023213A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>JP2015023213A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_JP2015023213A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZBB09XF1Dgny9_N0VnBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AxKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFeAUYGhqYGRsZGhsaOxkQpAgBQ8h4K</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>ELECTRONIC DEVICE</title><source>esp@cenet</source><creator>HAYASHI EIJI ; SAKAMOTO ZENJI ; TERUI KENICHIRO</creator><creatorcontrib>HAYASHI EIJI ; SAKAMOTO ZENJI ; TERUI KENICHIRO</creatorcontrib><description>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electronic device exhibiting better bonding reliability even when used under a high temperature environment, while preventing excessive rise of solder melting point, in an electronic device manufactured by mounting an electronic component on a lead frame, and then soldering the electronic component and lead frame.SOLUTION: An electronic device includes a lead frame 10, an electronic component 20 mounted on the lead frame 10, and a solder 30 interposed between the lead frame 10 and electronic component 20, and joining them. The lead frame 10 is composed only of Cu and Ni, where 0.09-0.40 wt% of Ni is contained for the total weight of the lead frame 10, and 0.03-0.19 wt% of Ni is contained for the total weight of the solder 30.
【課題】リードフレーム上に電子部品を搭載して、電子部品とリードフレームとをはんだ接合してなる電子装置において、はんだ融点の過上昇を防止しつつ、高温環境下で使用した場合でも、より接合信頼性に優れる電子装置を実現する。【解決手段】リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に搭載された電子部品２０と、リードフレーム１０と電子部品２０との間に介在し、リードフレーム１０と電子部品２０とを接合するはんだ３０と、を備え、リードフレーム１０は、ＣｕとＮｉとのみよりなるものであって、当該リードフレーム１０の総重量に対してＮｉが０．０９重量％以上０．４０重量％以下含有されたものであり、はんだ３０は、当該はんだ３０の総重量に対してＮｉが０．０３重量％以上０．１９重量％以下含有されたものである。【選択図】図１</description><language>eng ; jpn</language><subject>ALLOYS ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS ; METALLURGY ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150202&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2015023213A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150202&DB=EPODOC&CC=JP&NR=2015023213A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HAYASHI EIJI</creatorcontrib><creatorcontrib>SAKAMOTO ZENJI</creatorcontrib><creatorcontrib>TERUI KENICHIRO</creatorcontrib><title>ELECTRONIC DEVICE</title><description>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electronic device exhibiting better bonding reliability even when used under a high temperature environment, while preventing excessive rise of solder melting point, in an electronic device manufactured by mounting an electronic component on a lead frame, and then soldering the electronic component and lead frame.SOLUTION: An electronic device includes a lead frame 10, an electronic component 20 mounted on the lead frame 10, and a solder 30 interposed between the lead frame 10 and electronic component 20, and joining them. The lead frame 10 is composed only of Cu and Ni, where 0.09-0.40 wt% of Ni is contained for the total weight of the lead frame 10, and 0.03-0.19 wt% of Ni is contained for the total weight of the solder 30.
【課題】リードフレーム上に電子部品を搭載して、電子部品とリードフレームとをはんだ接合してなる電子装置において、はんだ融点の過上昇を防止しつつ、高温環境下で使用した場合でも、より接合信頼性に優れる電子装置を実現する。【解決手段】リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に搭載された電子部品２０と、リードフレーム１０と電子部品２０との間に介在し、リードフレーム１０と電子部品２０とを接合するはんだ３０と、を備え、リードフレーム１０は、ＣｕとＮｉとのみよりなるものであって、当該リードフレーム１０の総重量に対してＮｉが０．０９重量％以上０．４０重量％以下含有されたものであり、はんだ３０は、当該はんだ３０の総重量に対してＮｉが０．０３重量％以上０．１９重量％以下含有されたものである。【選択図】図１</description><subject>ALLOYS</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZBB09XF1Dgny9_N0VnBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AxKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFeAUYGhqYGRsZGhsaOxkQpAgBQ8h4K</recordid><startdate>20150202</startdate><enddate>20150202</enddate><creator>HAYASHI EIJI</creator><creator>SAKAMOTO ZENJI</creator><creator>TERUI KENICHIRO</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150202</creationdate><title>ELECTRONIC DEVICE</title><author>HAYASHI EIJI ; SAKAMOTO ZENJI ; TERUI KENICHIRO</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_JP2015023213A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; jpn</language><creationdate>2015</creationdate><topic>ALLOYS</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HAYASHI EIJI</creatorcontrib><creatorcontrib>SAKAMOTO ZENJI</creatorcontrib><creatorcontrib>TERUI KENICHIRO</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HAYASHI EIJI</au><au>SAKAMOTO ZENJI</au><au>TERUI KENICHIRO</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ELECTRONIC DEVICE</title><date>2015-02-02</date><risdate>2015</risdate><abstract>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve an electronic device exhibiting better bonding reliability even when used under a high temperature environment, while preventing excessive rise of solder melting point, in an electronic device manufactured by mounting an electronic component on a lead frame, and then soldering the electronic component and lead frame.SOLUTION: An electronic device includes a lead frame 10, an electronic component 20 mounted on the lead frame 10, and a solder 30 interposed between the lead frame 10 and electronic component 20, and joining them. The lead frame 10 is composed only of Cu and Ni, where 0.09-0.40 wt% of Ni is contained for the total weight of the lead frame 10, and 0.03-0.19 wt% of Ni is contained for the total weight of the solder 30.
【課題】リードフレーム上に電子部品を搭載して、電子部品とリードフレームとをはんだ接合してなる電子装置において、はんだ融点の過上昇を防止しつつ、高温環境下で使用した場合でも、より接合信頼性に優れる電子装置を実現する。【解決手段】リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に搭載された電子部品２０と、リードフレーム１０と電子部品２０との間に介在し、リードフレーム１０と電子部品２０とを接合するはんだ３０と、を備え、リードフレーム１０は、ＣｕとＮｉとのみよりなるものであって、当該リードフレーム１０の総重量に対してＮｉが０．０９重量％以上０．４０重量％以下含有されたものであり、はんだ３０は、当該はんだ３０の総重量に対してＮｉが０．０３重量％以上０．１９重量％以下含有されたものである。【選択図】図１</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; jpn |
| recordid | cdi_epo_espacenet_JP2015023213A |
| source | esp@cenet |
| subjects | ALLOYS BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS |
| title | ELECTRONIC DEVICE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-17T02%3A29%3A37IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=HAYASHI%20EIJI&rft.date=2015-02-02&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EJP2015023213A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |