SYSTEM AND METHOD OF SEM OVERLAY METROLOGY

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid SEM artifacts resulting from edge blurring.SOLUTION: The present disclosure is directed to a method of performing SEM overlay metrology with scan direction substantially aligned with or parallel to feature placement or patterning of overlay target structures. By scanning target structures in the same or similar direction to the feature placement, blurring at the edges of interest is avoided and a line-to-line or edge-to-edge offset between pattern elements is less susceptible to error from blurring at scanned edges of interest. For example, at least two linear pattern elements corresponding to at least two sample layers may be scanned along or parallel to the direction of feature placement (i.e., along or parallel to long edges of the pattern elements). 【課題】エッジぼけに起因するＳＥＭアーチファクトを回避する。【解決手段】本開示は、オーバーレイターゲット構造の特徴配置またはパターニングと略位置合わせされているかまたはこれと平行な走査方向を利用したＳＥＭオーバーレイ計測を実施する方法に関する。特徴配置と同一または同等の方向においてターゲット構造を走査することによって、対象となるエッジにおけるぼけが回避され、パターン要素間の線間またはエッジ間オフセットは、対象となる走査したエッジにおけるぼけに起因する誤差の影響を受けにくくなる。例えば、少なくとも２つのサンプル層に対応する少なくとも２つの線形パターン要素は、特徴配置の方向に沿うかまたはこれと平行に（すなわち、パターン要素の長いエッジに沿うかまたはこれと平行に）走査できる。【選択図】図１