ANALYSIS METHOD FOR DEFECT IN SUBSTRATE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an analysis method for defect in a substrate that correctly specifies a position of a fine and small amount of defect in a substrate, and quickly analyses the defect.SOLUTION: An analysis method for a defect in a substrate includes: a defect position identification step of performing an appearance inspection using a laser microscope, identifying a defect existence area 31 where a defect 33 exists from a plurality of partitioned areas, and identifying a position of the defect 33 from a processing mark and a depth of the defect 33 from a principal surface of a substrate 1; a specimen piece extraction step of extracting a part having the defect contained as a specimen piece by a FIB by using the processing mark forming the identified defect existence area 31 used as a landmark; a defect observation step of observing the defect 33 included in the specimen piece thinned by the FIB by a secondary electron image and at least one of a Z contrast image and a transmission image, by using a STEM; and a defect analysis step of analyzing a kind of the defect using an EDX with respect to the specimen piece after the defect observation step. 【課題】微小且つ少量の基板内欠陥の位置を正確に特定し、当該欠陥に対して迅速に解析を行うことを可能にする解析方法を提供する。【解決手段】レーザー顕微鏡を用いて外観検査を行い、区分けされた複数の領域の中から欠陥３３が存在する欠陥存在領域３１を特定し、且つ、加工痕からの欠陥３３の位置および基板１の主表面からの欠陥３３の深さを特定する欠陥位置特定工程と、特定された欠陥存在領域３１を形作る加工痕を目印にして、ＦＩＢにより、欠陥含有部分を試料片として摘出する試料片摘出工程と、ＦＩＢにより薄片化された試料片に含まれる欠陥３３を、ＳＴＥＭを用いて二次電子像、ならびに、Ｚコントラスト像および透過像のうちの少なくともいずれか、により観察する欠陥観察工程と、欠陥観察工程後の試料片に対してＥＤＸを用い欠陥の種類を解析する欠陥解析工程とを有する。【選択図】図５