SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element with improved light extraction efficiency and capable of achieving higher luminance.SOLUTION: A semiconductor light-emitting element 1 comprises: a substrate 10; a first clad layer 14 disposed on the substrate; a multiquantum we...

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Hauptverfasser: IKEDA SHIGEFUMI, OCHIAI YASUTOMO
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting element with improved light extraction efficiency and capable of achieving higher luminance.SOLUTION: A semiconductor light-emitting element 1 comprises: a substrate 10; a first clad layer 14 disposed on the substrate; a multiquantum well layer 16 disposed on the first clad layer; a second clad layer 18 disposed on the multiquantum well layer; contact layers (24, 26) disposed in a prescribed region on the second clad layer; a transparent electrode layer 22 disposed on the contact layers; a surface electrode layer 28 disposed on the transparent electrode layer; and an opening 40 in which a region corresponding to a prescribed region of the surface electrode layer is opened. 【課題】光の取り出し効率が改善され、高輝度化可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板10と、基板上に配置された第1クラッド層14と、第1クラッド層上に配置された多重量子井戸層16と、多重量子井戸層上に配置された第2クラッド層18と、第2クラッド層上の所定の領域に配置されたコンタクト層(24・26)と、コンタクト層上に配置された透明電極層22と、透明電極層上に配置された表面電極層28と、表面電極層の所定の領域に対応する領域が開口された開口部40とを備える。【選択図】図2