VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor phase epitaxial growth device including a configuration for rotating a substrate holder by transmitting a rotation driving force from a substrate holder rotation driver, through a substrate holder rotation plate provided in the center of a reactor and having...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor phase epitaxial growth device including a configuration for rotating a substrate holder by transmitting a rotation driving force from a substrate holder rotation driver, through a substrate holder rotation plate provided in the center of a reactor and having a gear on the outer periphery, to a plurality of substrate holders provided around the substrate holder rotation plate and having a gear on the outer periphery, which can rotate the substrate holder stably even in vapor phase epitaxial growth using a plurality of large substrates.SOLUTION: In a vapor phase epitaxial growth device, a substrate holder rotation plate has a configuration held rotatably for a base in the center via bearing balls.
【課題】 基板ホルダー回転駆動器から、反応炉の中心部に設けられ外周に歯車を有する基板ホルダー回転板を介して、前記基板ホルダー回転板の周囲に設けられ外周に歯車を有する複数の基板ホルダーに回転駆動力を伝達することにより、前記基板ホルダーを回転させる構成を備えた気相成長装置において、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、基板ホルダーを安定して回転させることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】 前述のような気相成長装置において、基板ホルダー回転板がベアリングボールを介して中心部の基台に対し回転自在に保持された構成を有する気相成長装置とする。【選択図】 図1 |
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