PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION MODULE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic power generation module that is strong against change in a sunshine amount.SOLUTION: A photovoltaic power generation module comprises: a semiconductor layer generating power by an infrared ray having a wavelength of 1500 nm or less; and a power storage...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KATAOKA YOSHINORI, KADOSHIMA KUNIYUKI, OZU HIDEYUKI, SASAKI RYOTO, IWAI HIROSHI, LI WEI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic power generation module that is strong against change in a sunshine amount.SOLUTION: A photovoltaic power generation module comprises: a semiconductor layer generating power by an infrared ray having a wavelength of 1500 nm or less; and a power storage mechanism part storing a part or all of power supplied from the semiconductor layer generating power by the infrared ray. In addition, it is preferred that the semiconductor layer generating power by an infrared ray having a wavelength of 1100 nm or more comprises a -iron silicide layer or a barium silicide layer. 【課題】 日照量の変化に強い太陽光発電モジュールを提供する。【解決手段】 実施の形態の太陽光発電モジュールは、波長1500nm以下の赤外線により発電する半導体層と、前記赤外線により発電する半導体層から供給される電力の一部または全部を蓄電する蓄電機構部、とを具備することを特徴とするものである。また、波長1100nm以上の赤外線により発電する半導体層はβ−鉄シリサイド層またはバリウムシリサイド層を具備していることが好ましい。【選択図】 図1