HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, POWER AMPLIFIER USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To combine prevention of thermorunaway and prevention of degradation in power amplifier characteristics at high temperature.SOLUTION: A heterojunction bipolar transistor 100 comprises a ballast resistance layer 7. The ballast resistance layer 7 comprises: an AlGaAs emitter ball...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KUROKAWA ATSUSHI, OBE ISAO, UMEMOTO YASUNARI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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