MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the characteristics of a magnetoresistance effect element.SOLUTION: The magnetoresistance effect element comprises: a first magnetic film 10 having a variable direction of magnetization; a second magnetic film 11 having an invariable direction of magnetization; and a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KATO YUSHI, KITAGAWA EIJI, DAIBO TATATOMI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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