METHOD FOR CREATING MODEL PARAMETER OF BIPOLAR TRANSISTOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for creating a model parameter of a bipolar transistor. SOLUTION: Structure of each of a collector electrode, an emitter electrode and a base electrode of the bipolar transistor is selected, a kind of the bipolar transistor selected at the first step is sele...

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1. Verfasser: SAITO FUMITOSHI
Format: Patent
Sprache:eng
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