HIGH PURITY TANTALUM FOR THIN FILM FORMATION AND ITS PRODUCTION
PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an abnormal discharging phenomenon and the generation of particles at the time of sputtering by sputtering tantalum in which each content of Nb, W, Mo, transition metal elements, high m.p. metal elements, heavy metal elements other than those, radioactive elements s...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng |
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