PROCEDIMENTO PER LA LAVORAZIONE DI WAFER SOTTILI E CELLE SOLARI DI SILICIO CRISTALLINO

Le piastrine sottili di semiconduttori (wafer) ed i componenti prodotti con esse, come ad esempio le celle solari di silicio cristallino, sono soggetti ad un maggior pericolo di rottura a causa della fragilità del materiale, e richiedono uno spessore minimo per il wafer onde garantire una manipolazi...

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Hauptverfasser: MARTINELLI GIULIANO, EISENRITH KARL-HEINZ, ENDROES ARTHUR
Format: Patent
Sprache:ita
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Beschreibung
Zusammenfassung:Le piastrine sottili di semiconduttori (wafer) ed i componenti prodotti con esse, come ad esempio le celle solari di silicio cristallino, sono soggetti ad un maggior pericolo di rottura a causa della fragilità del materiale, e richiedono uno spessore minimo per il wafer onde garantire una manipolazione sicura. Per il miglioramento della manipolazione viene ora proposto di dotare la piastrina di semiconduttore di uno strato protettivo meccanico sull'intera superficie, e di sottoporla soltanto successivamente ad un trattamento formante. (Figura 3). The method involves processing a thin semiconductor wafer (1) to produce a curved form. In an initial stage, a protective layer (2), e.g. an organic polymer, is formed on both surfaces. The polymer may be provided in the form of a paste that is pressed onto the surface. The laminated shape is formed to the surface of a carrier (4) and can be bonded into position using a thermoplastic adhesive foil (3).