PROCESS AND APPARATUS FOR OBTAINING BULK MONOCRYSTALLINE GALLIUM-CONTAINING NITRIDE

A találmány tárgya ammóniaalapú eljárás galliumtartalmú nitrid-kristályok előállítására, melynek során galliumtartalmú alapanyagotkristályosítanak ki legalább egy kristálymagon szuperkritikusnitrogéntartalmú oldószerben alkálifém-tartalmú komponensjelenlétében. A találmány tárgyát képezi továbbá az...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DWILINSKI, ROBERT TOMASZ, GARCZYNSKI, JERZY, KANBARA, YASUO, DORADZINSKI, ROMAN MAREK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; hun
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A találmány tárgya ammóniaalapú eljárás galliumtartalmú nitrid-kristályok előállítására, melynek során galliumtartalmú alapanyagotkristályosítanak ki legalább egy kristálymagon szuperkritikusnitrogéntartalmú oldószerben alkálifém-tartalmú komponensjelenlétében. A találmány tárgyát képezi továbbá az ilyen eljárássalelőállítható rendkívül jó minőségű, egykristályos galliumtartalmúnitridkristály. Ó The present invention refers to an ammonobasic method for preparing a gallium-containing nitride crystal, in which gallium-containing feedstock is crystallized on at least one crystallization seed in the presence of an alkali metal-containing component in a supercritical nitrogen-containing solvent. The method can provide monocrystalline gallium-containing nitride crystals having a very high quality.