METHOD FOR DETERMINING THE CHARGED ENERGY STATES OF SEMICONDUCTORS AND INSULATORS BY TRANSIENT SPETROSCOPY OF DEEP EQUIPOTENTIAL SURFACES AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: FERENCZI,GYOERGY,HU, HORVATH,PETER,HU, TOTH,FERENC,HU, BENKOVICS,LASZLO,HU, BODA,JANOS,HU, DOZSA,LASZLO,HU
Format: Patent
Sprache:eng
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