USE OF GALLIUM NITRIDE (GaN) SEMI-CONDUCTOR FOR THE DETECTION AND MEASURING OF NEGATIVELY CHARGED SUBSTANCES-MEASURING DEVICES

παρούσα εφεύρεση σχετίζεται με την επιλεκτική αλληλεπίδραση (προσρόφηση, κατανομή, ή ηλεκτροστατική αλληλεπίδραση) του ημιαγωγού νιτριδίου του Γαλλίου GaN (1) με αρνητικά φορτισμένες ουσίες. Η παρούσα εφεύρεση παρουσιάζει για πρώτη φορά ένα υλικόμε εξαιρετική ευαισθησία και επιλεκτικότητα ως προς τι...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHANIOTAKIS NIKOLAOS, GEORGAKILAS ALEXANDROS, ALIFRAGKIS IOANNIS, KONSTANTINIDIS GEORGIOS
Format:	Patent
Sprache:	eng ; Greek
Schlagworte:	INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS TESTING
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	παρούσα εφεύρεση σχετίζεται με την επιλεκτική αλληλεπίδραση (προσρόφηση, κατανομή, ή ηλεκτροστατική αλληλεπίδραση) του ημιαγωγού νιτριδίου του Γαλλίου GaN (1) με αρνητικά φορτισμένες ουσίες. Η παρούσα εφεύρεση παρουσιάζει για πρώτη φορά ένα υλικόμε εξαιρετική ευαισθησία και επιλεκτικότητα ως προς τις αρνητικά φορτισμένες ουσίες. Εχει βρεθεί ότι το νιτρίδιο του γαλλίου (1) αλληλεπιδρά αντιστρεπτά με τις αρνητικά φορτισμένες ουσίες, και με αυτόν τον τρόπο αλλάζουν δραστικά, αλλά επαναλήψιμα,τα χαρακτηριστικά του. he present invention relates to the optional interaction (adherence, distribution, or electrostatic interaction) of the gallium nitride (GaN) semiconductor 1 with negatively charged substances. The invention presents, for the first time, a materialof exceptional sensitiveness and optionality as to the negatively charged substances. It has been found that the GaN 1 interacts reversibly with the negatively charged substances so that its characteristics change drastically and repeatedly.