INTEGRATED CIRCUIT OF DIFFERENTIAL DISTRIBUTED OSCILLATOR

Ηλεκτρονικό ολοκληρωμένο κύκλωμα διαφορικού κατανεμημένου ταλαντωτή, που αποτελείται από το κυρίως υποκύκλωμα ταλάντωσης (1), υποκύκλωμα βρόχου ανάδρασης μεταξύ εισόδου και εξόδου (2), υποκύκλωμα μηχανισμού μεταβολής της συχνότητας (3) και υποκύκλωμα απομονωτή εξόδου (4) και μέθοδο σχεδιασμού ολοκληρωμένου κυκλώματος διαφορικού κατανεμημένου ταλαντωτή (5). Το κύκλωμα είναι σχεδιασμένο με τρόπο ώστε ο βρόχος ανάδρασης να κλείνει με την χρήση on-chip Metal Insulator Metal πυκνωτών, που επιτρέπειτην μείωση των ακροδεκτών του ταλαντωτή και τη συνεπακόλουθη μείωση της σύζευξης θορύβου με στοιχεία εκτός του ταλαντωτή. Χρησιμοποιεί μηχανισμό μεταβολής της συχνότητας, εξασφαλίζοντας γραμμική μεταβολή της συχνότητας και σταθερή τάση εξόδου σε σχέσημε την διαφορική τάση ελέγχου, που επιτρέπει σημαντική απομόνωση του ταλαντωτή από εξωτερικές παρεμβολές, επιτυγχάνοντας υψηλή ταχύτητα και συχνότηταλειτουργίας καθώς και χαμηλότερα επίπεδα θορύβου σε σύγκριση με συγκεντρωμένα κυκλώματα ταλαντωτών που υλοποιούνται σε όμοιες τεχνολογίες πυριτίου. Οταλαντωτής χρησιμοποιείται σε σύνθετα ολοκληρωμένα κυκλώματα τηλεπικοινωνιακών εφαρμογών. Electronic integrated circuit of differential distributed oscillator, that consists of the main oscillation sub-circuit (1), feedback loop sub-circuit between input and output (2), sub-circuit of frequency variation mechanism (3) and sub-circuit of output buffer (4) and layout method of integrated circuit of differential distributed oscillator (5). The circuit is designed in a manner that the feedback loop closes by the use of on-chip Metal Insulator Metal capacitors, that allows reduction of oscillator terminals and the subsequent reduction of noise coupling with elements apart from the oscillator. It uses a frequency variation mechanism, ensuring linear frequency variation and fixed output voltage related to differential control voltage,that allows significant isolation of the oscillator from external interferences, achieving high speed and operation frequency and lower noise levels compared to concentrated oscillator circuits that are implemented in similar silicon technologies. The oscillator is used in compound integrated circuits of telecommunication applications.