Procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur comprenant une grille latérale

Titre : Procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur comprenant une grille latérale L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une grille latérale (G1, G2) pour un dispositif semi-conducteur, comprenant : * une gravure de tranchées (20, 21, 22), * un dépôt de couche d'électrode (14) sur le flanc des tranchées, * un remplissage un matériau diélectrique (15). Avantageusement, la grille latérale contrôle électrostatiquement une distribution des porteurs de charge dans une structure de type métal-oxyde-semiconducteur (MOS), notamment pour des applications à qubits de spin. Figure pour l'abrégé : Fig. 6 A method for producing a lateral gate for a semiconductive device, comprising: etching of trenches depositing an electrode laver on the flank of the trenches, and a dielectric material filling. Advantageously, the lateral gate electrostatically controls a distribution of the charge carriers in a metal-oxide-semiconductor (MOS)-type structure, in particular for spin qubit applications.