Dispositif optoélectronique

Dispositif optoélectronique La présente description concerne un procédé de commande d'un dispositif optoélectronique (10) comprenant une diode (12) à effet d'avalanche déclenché par un photon individuel (SPAD) dans un substrat (14), la diode comprenant une première région (16), dopée d'un premier type de conductivité, affleurant une première face (14a) du substrat (14) et une deuxième région (18), dopée d'un deuxième type de conductivité, s'étendant de la première face (14a) à une deuxième face du substrat (14b), opposée à la première face (14a), le dispositif (10) comprenant une troisième région (18b) conductrice ou semiconductrice au niveau de la deuxième face (14b), le procédé comprenant l'application d'une tension de polarisation (Vca) à la troisième région (18b) de manière à générer un champ électrique accélérant les charges générées dans la diode. Figure pour l'abrégé : Fig. 1 The present disclosure relates to a process to control an optoelectronic device comprising a single-photon avalanche diode n a substrate, wherein the diode comprises a first region doped with a first type of conductivity level with a first face of the substrate and a second region doped with a second type of conductivity extending from the first face to a second face of the substrate opposed to the first face, wherein the device comprises a third conducting or semiconducting region at the second face, wherein the process comprises the application of a biasing voltage to the third region in order to generate an electric field that accelerates the charges generated in the diode.