Structuration d'une couche fonctionnelle au moyen d'une couche sacrificielle et préparation d'une capacitance de type MIM mettant en œuvre ladite structuration

L'invention se rapporte, dans un premier temps, à un procédé de structuration d'une couche fonctionnelle (130), comprenant au moins les étapes suivantes : a) fourniture d'un substrat (110) ayant une surface recouverte localement par une couche dite sacrificielle (120), une ou plusieur...

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1. Verfasser: BEDJAOUI, Messaoud
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:L'invention se rapporte, dans un premier temps, à un procédé de structuration d'une couche fonctionnelle (130), comprenant au moins les étapes suivantes : a) fourniture d'un substrat (110) ayant une surface recouverte localement par une couche dite sacrificielle (120), une ou plusieurs zones de la surface du substrat 110) étant dépourvue de la couche sacrificielle (120) ;b) croissance de la couche fonctionnelle (130) de manière sélective sur la ou les zones de la surface du substrat (110) dépourvues de la couche sacrificielle (120) ;c) élimination de la couche sacrificielle (120) ;moyennant quoi la surface du substrat (110) est recouverte par une couche fonctionnelle (130) structurée. L'invention se rapporte ensuite à un procédé de préparation d'une capacitance de type MIM, en mettant en œuvre le procédé de structuration pour structurer au moins une couche de la capacitance. Applications : dispositifs micro- et nano-électroniques tels que des puces électroniques, fabrication de capacitances hautes densités de type MIM. Figure pour l'abrégé : Figure 3 The invention relates, firstly, to a method for patterning a functional layer (130), comprising at least the following steps of:providing a substrate (110) having a surface locally covered by a so-called sacrificial layer (120), one or more areas of the surface of the substrate (110) being devoid of the sacrificial layer (120);selectively growing the functional layer (130) on the area(s) of the surface of the substrate (110) devoid of the sacrificial layer (120);eliminating the sacrificial layer (120);whereby the surface of the substrate (110) is covered by a patterned functional layer (130).Subsequently, the invention relates to a method for preparing a MIM capacitor, implementing the patterning method for patterning at least one layer of the capacitor.Applications: micro- and nano-electronic devices such as electronic chips, manufacturing of high-density MIM capacitors.