Procédé de fabrication d'un transducteur CMUT

Procédé de fabrication d'un transducteur CMUT La présente description concerne un procédé de fabrication d'un transducteur CMUT, comprenant les étapes suivantes : a) former une première structure comportant une cavité (137) s'étendant dans une première couche d'oxyde de silicium (133) revêtant une face d'une première couche de silicium (131) ;b) former une électrode métallique inférieure (141) du transducteur au fond de la cavité ; c) former une deuxième structure comportant une deuxième couche de silicium (105) ; d) après les étapes a), b) et c), reporter et fixer la deuxième structure sur la première structure par collage moléculaire, de façon à fermer la cavité. Figure pour l'abrégé : Fig. 1J The present invention relates to a method for manufacturing a cMUT transducer, comprising the following steps: a) forming a first structure comprising a cavity (137) extending in a first silicon oxide layer (133) which coats one face of a first silicon layer (131); b) forming a lower metal electrode (141) of the transducer at the bottom of the cavity; c) forming a second structure comprising a second silicon layer (105); d) after steps a), b) and c), transferring and fixing the second structure onto the first structure by molecular bonding, so as to close the cavity.