APPAREIL ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM DE PURETE 3N OU SUPERIEURE PAR PURIFICATION D'UN SILICIUM DE PURETE 2N

L'invention concerne un appareil pour la production de silicium de pureté 3N par purification d'un silicium de pureté 2N, la purification incluant les étapes d'injection d'air (E1), de filtrage (E2) et de solidification (E3) pour obtenir le silicium de pureté 3N à l'état sol...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	NICHIPORUK, Oleksiy, KRAIEM, Jed, DEGOULANGE, Julien
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BLASTING CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF FURNACES FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL HEATING INORGANIC CHEMISTRY KILNS LIGHTING MECHANICAL ENGINEERING METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS OVENS RETORTS WEAPONS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention concerne un appareil pour la production de silicium de pureté 3N par purification d'un silicium de pureté 2N, la purification incluant les étapes d'injection d'air (E1), de filtrage (E2) et de solidification (E3) pour obtenir le silicium de pureté 3N à l'état solide. Figure à publier avec l'abrégé : Fig. 5 The present invention relates to an apparatus for producing 3N purity silicon by purification of 2N purity silicon, the purification including the steps of air injection (E1), filtering (E2) and solidification (E3) to obtain 3N purity silicon in the solid state.