Procédé de collage hybride direct de puce à plaque

Titre : Procédé de collage hybride direct de puce à plaque L'invention porte sur un procédé de collage hybride direct de puce (10) à plaque (20) comprenant les étapes suivantes : Fournir au moins une puce (10) comprenant un premier plot (11) de cuivre et une première couche (12) d'oxyde de silicium, Fournir une plaque (20) comprenant un deuxième plot (21) de cuivre et une deuxième couche (22) d'oxyde de silicium,Manipuler la puce (10) de façon à positionner la face (100) de la puce (10) en regard de la zone (210) de réception de la puce sur la plaque (20), en alignant les premier et deuxième plots (11, 21),Déposer au moins une goutte d'eau (30) dans la zone (210) de réception de la puce et/ou sur la face (100) de la puce (10), Appliquer une pression sur la puce (10) pour former, à partir de la goutte d'eau (30), un film d'eau (31) entre la face (100) et la zone (210) de réception de la puce (10). Figure pour l'abrégé : Fig.2 The invention relates to a method for the direct hybrid bonding of chip (10) to sheet (20), comprising the following steps: Providing at least one chip (10) comprising a first copper pad (11) and a first layer (12) of silicon oxide, Providing a sheet (20) comprising a second copper pad (21) and a second layer (22) of silicon oxide, Manipulating the chip (10) so as to position the face (100) of the chip (10) facing the area (210) for receiving the chip on the sheet (20), aligning the first and second pads (11, 21), Depositing at least one water drop (30) in the area (210) for receiving the chip and/or on the face (100) of the chip (10), Applying pressure to the chip (10) to form, from the water drop (30), a water film (31) between the face (100) and the area (210) for receiving the chip (10).