Dispositif d'acquisition d'images

Dispositif d'acquisition d'images La présente description concerne un capteur d'images (15) comprenant : - une pluralité de pixels de photo-détection (19) formés dans et sur un substrat semiconducteur (25) ; et - un réseau d'interconnexion (23) revêtant une face du substrat semiconducteur, le réseau d'interconnexion comprenant un niveau (31) de vias conducteurs (39) en contact, par leur face inférieure, avec les pixels de photo-détection, dans lequel lesdits vias conducteurs sont en silicium polycristallin dopé et présentent un dopage plus important du côté de leur face inférieure que du côté de leur face supérieure. Figure pour l'abrégé : Fig. 3D An image sensor includes photodetection pixels formed inside and on top of a semiconductor substrate. An interconnection network coats a surface of the semiconductor substrate. The interconnection network includes a level of conductive vias in contact, by their lower surface, with the photodetection pixels. The conductive vias are made of doped polysilicon and have a heavier doping on their lower surface side than on their upper surface side.