Procédé de fabrication d'un dispositif électronique

Procédé de fabrication d'un dispositif électronique La présente description concerne un procédé d'assemblage de première et deuxième plaques par collage, comportant les étapes de : a) formation d'une première plaque comprenant une première couche semiconductrice (11) et des premiers contacts métalliques (19) du côté d'une première face de la première couche semiconductrice ; b) formation d'une deuxième plaque comportant une deuxième couche semiconductrice (31) et des deuxièmes contacts métalliques (37) du côté d'une première face de la deuxième couche semiconductrice ; c) après l'étape b), report et fixation d'une poignée (64) sur une face de la deuxième plaque opposée à la deuxième couche semiconductrice (31) ; d) après l'étape c), retrait de la deuxième couche semiconductrice de façon à exposer les deuxièmes contacts métalliques ; et e) après les étapes a) et d), collage des première et deuxième plaques de façon à connecter électriquement les premiers contacts métalliques aux deuxièmes contacts métalliques. Figure pour l'abrégé : Fig. 1M A first wafer includes a first semiconductor layer and first metal contacts on a side of a first surface of the first semiconductor layer. A second wafer includes a second semiconductor layer and second metal contacts on a side of a first surface of the second semiconductor layer. A handle is bonded onto a surface of the second wafer opposite to the second semiconductor layer. The second semiconductor layer is then removed to expose the second metal contacts. A bonding is then performed between the first and second wafers to electrically connect the first metal contacts to the second metal contacts.