Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation

Titre : Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation L'invention porte sur un dispositif mémoire résistive (1) comprenant au moins une première électrode (10) à base d'un premier métal et une deuxième électrode (20) à base d'un deuxième métal, et un élément mémoire (30) sous forme de filament métallique à base d'un troisième métal et intercalé entre lesdites première et deuxième électrodes (10, 20), ledit élément mémoire (30) présentant une section transverse de filament strictement inférieure aux sections transverses d'électrodes, le dispositif étant caractérisé en ce que le troisième métal présente une composition chimique différente de celles des premier et deuxième métaux lui conférant une vitesse de gravure supérieure à celles des premier et deuxième métaux, de préférence telle que la sélectivité à la gravure soit supérieure ou égale à 3:1, vis-à-vis des premier et deuxième métaux. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Figure pour l'abrégé : Fig.5 A resistive memory device including at least one first electrode based on a first metal and a second electrode based on a second metal, and a memory element in the form of a metal filament based on a third metal and inserted between the first and second electrodes, the memory element having a filament cross-section strictly smaller than the electrode cross-sections, wherein the third metal has a chemical composition, different from those of the first and second metals giving it an etching speed greater than those of the first and second metals, preferably such that the selectivity at the etching is greater than or equal to 3:1, vis-á-vis the first and second metals. A method for manufacturing such a device is also disclosed.