DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE INTEGRANT UNE COUCHE MINCE DE MATERIAU METALLIQUE

L'invention porte sur un dispositif (200) à ondes de surface comprenant un substrat (210) ; une couche piézoélectrique (240) au-dessus d'une face supérieure du substrat ; une paire d'électrodes (250A, 250B) en contact avec la couche piézoélectrique, les deux électrodes comprenant des...

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Hauptverfasser: BALLANDRAS, Sylvain, CLAIRET, Alexandre, MICHOULIER, Eric, LAROCHE, Thierry
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:L'invention porte sur un dispositif (200) à ondes de surface comprenant un substrat (210) ; une couche piézoélectrique (240) au-dessus d'une face supérieure du substrat ; une paire d'électrodes (250A, 250B) en contact avec la couche piézoélectrique, les deux électrodes comprenant des doigts (252A, 252B) s'étendant selon une même direction de manière à former une structure périodique dans laquelle les doigts des deux électrodes alternent les uns avec les autres, et présentant une distance interdigitale (2p) séparant des centres de deux doigts adjacents d'une même électrode ; une couche métallique (220) interposée entre le substrat et la couche piézoélectrique ; et une couche diélectrique (230) interposée entre la couche métallique et la couche piézoélectrique, dispositif dans lequel la couche métallique présente une épaisseur comprise entre 5 nm et 100 nm et la couche diélectrique présente une épaisseur comprise entre 25 nm et 600 nm. Figure à publier avec l'abrégé : Fig. 2 A surface wave device (200) comprising a substrate (210); a piezoelectric layer (240) above an upper face of the substrate; a pair of electrodes (250A, 250B) in contact with the piezoelectric layer, the two electrodes including fingers (252A, 252B) extending in the same direction so as to form a periodic structure in which the fingers of the two electrodes alternate with each other, and having an interdigital distance (2p) separating the centers of two adjacent fingers of the same electrode; a metal layer (220) interposed between the substrate and the piezoelectric layer; and a dielectric layer (230) interposed between the metal layer and the piezoelectric layer, wherein the metal layer has a thickness of 5 nm to 100 nm and the dielectric layer has a thickness of 25 nm to 600 nm.