Dispositif de pilotage de transistors et procédé de pilotage

Titre : Dispositif de pilotage de transistors et procédé de pilotage L'invention porte sur un dispositif de pilotage de transistors (1) FDSOI comprenant : - Une pluralité de premiers caissons (21, 21a, 21b, 21c, 21d, 21e, 21f, 21g, 21h) présentant un premier type de conductivité (P), chaque premier caisson (21) étant associé à un groupe de transistors (20), - Au moins un deuxième caisson (22, 22a, 22b, 22c, 22d) présentant un deuxième type de conductivité (N), formé sous et autour des premiers caissons (21), - Un circuit de polarisation configuré pour appliquer au moins une première tension de polarisation V1 aux premiers caissons (21), et au moins une deuxième tension de polarisation V2 à au moins un deuxième caisson (22), Avantageusement, tous les transistors (20) présentent le deuxième type de conductivité (N). L'invention porte également sur un procédé de pilotage du dispositif précédent. Figure pour l'abrégé : Fig.1 An FDSOI transistor control device includes a plurality of first wells having a first type of conductivity, each first well being associated with a group of transistors, and at least one second well having a second type of conductivity, formed under and around the first wells (21). A bias circuit is configured to apply at least one first bias voltage to the first wells and at least one second bias voltage to at least one second well. All of the transistors may have the second type of conductivity.