Procédé de fabrication d'un via

Procédé de fabrication d'un via La présente description concerne un procédé de fabrication d'un vias conducteur isolé (36) traversant un premier empilement (10') de couches (14, 18) de manière à atteindre une première couche (12), le premier empilement comprenant au moins une deuxième couche conductrice ou semiconductrice (14), le procédé comprenant : a) la formation d'une première cavité dans le premier empilement ; b) la formation d'un deuxième empilement (22) comprenant une troisième couche d'arrêt de gravure (26), et d'une quatrième couche isolante (28) sur les parois et le fond de la première cavité ; c) la gravure d'une deuxième cavité (34) traversant les premier et deuxième empilements ; d) la formation d'une cinquième couche (36) isolante recouvrant le fond de la deuxième cavité ; et e) la gravure anisotrope de la cinquième couche, la gravure étant une gravure sélective du matériau de la cinquième couche par rapport à la troisième couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 6