PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUPPORT EN CARBURE DE SILICIUM POLY-CRISTALLIN

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin comprenant les étapes suivantes : a) la croissance d'un substrat initial en carbure de silicium poly-cristallin sur un germe en graphite ou en carbure de silicium ; à l'issue de l'étape a), le substrat initial présentant une face avant libre et une face arrière en contact avec le germe, b) la formation d'un film raidisseur en carbone, sur la face avant du substrat initial, le substrat initial présentant, dans le plan de sa face avant et juste avant la formation du film raidisseur, une première taille moyenne de grains de carbure de silicium, c) le retrait du germe, de manière à libérer la face arrière du substrat initial, ce dernier présentant, dans le plan de sa face arrière et juste après le retrait du germe, une deuxième taille moyenne de grains de carbure de silicium, inférieure à la première taille moyenne, d) l'amincissement de la face arrière du substrat initial, jusqu'à une épaisseur pour laquelle le substrat initial présente, dans le plan de sa face arrière amincie, une troisième taille moyenne de grains égale à la première taille moyenne de grains à +/- 30% près, le substrat initial aminci formant le substrat support. Figure à publier avec l'abrégé : Pas de figure A method of fabricating a polycrystalline silicon carbide carrier substrate involves growing an initial polycrystalline silicon carbide substrate on a seed of graphite or of silicon-carbide. A stiffening carbon film is then formed on a front face of the initial substrate. The initial substrate has, in the plane of its front face, a first average silicon carbide grain size. The seed is then removed, so as to free the back face of the initial substrate, which has, in the plane of its back face, a second average silicon carbide grain size, which is smaller than the first average size. The back face of the initial substrate is then thinned to a thickness for which the initial substrate has, in the plane of its thinned back face, a third average grain size equal to the first average grain size to within ±30%.