Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation

Titre : Dispositif mémoire résistive et procédé de réalisation L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une cellule mémoire résistive à partir d'un empilement de couches comprenant une couche d'oxyde métallique (30) intercalée entre des première et deuxième électrodes (10, 20), ledit procédé comprenant : une formation, au sein de l'une parmi les première et deuxième électrodes, d'une couche intercalaire d'électrode à base d'un matériau intercalaire présentant une sélectivité à la gravure supérieure ou égale à 2:1, vis-à-vis des matériaux d'électrodes, et lors d'une gravure de l'empilement, une surgravure configurée pour consommer latéralement, selon une direction horizontale, le matériau intercalaire de sorte que la couche intercalaire d'électrode présente un retrait latéral supérieur ou égal à 10 nm. L'invention porte également sur une cellule mémoire résistive comprenant un rétrécissement formé par surgravure de la couche intercalaire. Figure pour l'abrégé : Fig.5 A method for producing a resistive memory cell from a stack of layers having a metal-oxide layer interleaved between first and second electrodes includes forming, within one from among the first and second electrodes, an interlayer material-based electrode interlayer having a selectivity to etching greater than or equal to 2:1 relative to materials of the electrodes. During an etching of the stack, overetching is performed configured to laterally consume, in a horizontal direction, the interlayer material such that the electrode interlayer has a lateral recess greater than or equal to 10 nm.