Mémoire à changement de phase
Mémoire à changement de phase La présente description concerne une cellule mémoire comprenant un substrat comprenant une région semiconductrice (17) et une région isolante (16), une première couche isolante (18) et une deuxième couche (28) d'un matériau à changement de phase reposant sur la pre...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | fre |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Mémoire à changement de phase La présente description concerne une cellule mémoire comprenant un substrat comprenant une région semiconductrice (17) et une région isolante (16), une première couche isolante (18) et une deuxième couche (28) d'un matériau à changement de phase reposant sur la première couche isolante (18), la première couche isolante (18) étant traversée par des premier (24) et deuxième (26) vias conducteurs, le premier via conducteur étant en contact, par une extrémité, avec la première couche (28) et, par une autre extrémité, avec la région semiconductrice (17), le deuxième via conducteur (26) étant en contact, par une extrémité, avec la première couche (28) et une piste conductrice (32) d'un réseau d'interconnexions recouvrant la première couche et, par une autre extrémité, seulement avec la région isolante. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
A memory cell includes a substrate with a semiconductor region and an insulating region. A first insulating layer extends over the substrate. A phase change material layer rests on the first insulating layer. The memory cell further includes an interconnection network with a conductive track. A first end of a first conductive via extending through the first insulating layer is in contact with the phase change material layer and a second end of the first conductive via is in contact with the semiconductor region. A first end of a second conductive via extending through the first insulating layer is in contact with both the phase change material layer and the conductive track, and a second end of the second conductive via is in contact only with the insulating region. |
---|