Dispositif optoélectronique, générateur de photons uniques, mémoire, multiplexeur, implant et procédé associés

Dispositif optoélectronique, générateur de photons uniques, mémoire, multiplexeur, implant et procédé associés L'invention concerne un dispositif (10) comportant une première portion (15), une deuxième portion (20), un premier contact (25) et un deuxième contact (30), la première portion (15) étant réalisée en un semi-conducteur présentant un premier dopage, la deuxième portion (20) étant en un semi-conducteur présentant un deuxième dopage différent du premier, la première portion (15) et la deuxième portion (20) formant une jonction p/n comportant une zone de déplétion (70) dans la première portion (15), les contacts (25, 30) étant configurés pour que, lorsqu'une tension électrique (V1) est appliquée entre les contacts (25, 30), une dimension de la zone de déplétion (70) dépend d'une valeur de la tension électrique, une énergie d'ionisation étant définie pour des dopants de la deuxième portion (20). Le dispositif (10) comporte un émetteur (40) générant un rayonnement présentant une énergie supérieure à l'énergie d'ionisation et illuminant la deuxième portion (20) avec le rayonnement. Figure pour l'abrégé : 1 A device including a first portion, a second portion, a first contact and a second contact, the first portion being made of a semiconductor having a first doping, the second portion being made of a semiconductor having a second doping different than the first, the first portion and the second portion forming a p/n junction including a depletion zone in the first portion, the contacts being configured so that when an electric voltage (V1) is applied between the contacts, a dimension of the depletion zone depends on a value of the electric voltage, an ionization energy being defined for dopants of the second portion. The device includes an emitter generating a radiation having an energy greater than the ionization energy and illuminating the second portion with the radiation.