CAPTEUR PHOTOGRAPHIQUE

Selon un aspect, il est proposé un capteur comprenant une plaque semiconductrice (PS1, PS2) comportant un substrat semiconducteur (SUB1, SUB2) incluant : - une matrice (MPH1, MPH2) de photosites (PH1, pH2), chaque photosite (PH1, PH2) étant délimité par une tranchée d'isolation (PHT1, PHT2), et - une zone périphérique (ZP1, ZP2) s'étendant directement autour de la matrice de photosites (MPH1, MPH2), la zone périphérique (ZP1, ZP2) présentant une densité volumique de silicium polycristallin comprise entre la densité volumique de silicium polycristallin en bordure de la matrice de photosites (MPH1, MPH2) et la densité volumique de silicium polycristallin autour de la zone périphérique. Figure pour l'abrégé : Fig 1 A semiconductor substrate includes a matrix of photosites. Each photosite is delimited by an isolation trench including polycrystalline silicon. A peripheral zone extends directly around the matrix of photosites. The peripheral zone includes dummy photosites delimited by isolation trenches including polycrystalline silicon. A density of polycrystalline silicon in the peripheral zone is between a density of polycrystalline silicon at an edge of the matrix of photosites and a density of polycrystalline silicon around the peripheral zone.