CONDENSATEUR COMPRENANT UN EMPILEMENT DE COUCHES EN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR A LARGE BANDE INTERDITE

L'invention concerne un condensateur (10) comprenant un empilement de couches (1) en un matériau semi-conducteur présentant une énergie de bande interdite supérieure à 2,3 eV, ledit empilement de couches (1) comportant : - une couche intermédiaire (3), électriquement isolante, présentant une résistivité supérieure à 10 kohm.cm et comprenant des dopants profonds de type n ou p produisant des niveaux d'énergie situés à plus de 0,4 eV de la bande de conduction ou de la bande de valence du matériau semi-conducteur, - deux couches de contact (2a,2b) présentant une résistivité inférieure ou égale à 10 kohm.cm et comprenant des dopants de type opposé à celui des dopants profonds de la couche intermédiaire (3), les deux couches de contact (2a,2b) étant disposées de part et d'autre de la couche intermédiaire (3) pour former deux jonctions pn. Figure à publier avec l'abrégé : Figure 1 A capacitor comprises a stack of layers made of a semiconductor material having a band gap energy greater than 2.3 eV, the stack of layers comprising: an electrically insulating intermediate layer having a resistivity greater than 10 kohm·cm and comprising n- or p-type deep dopants producing energy levels more than 0.4 eV from the conduction band or the valence band of the semiconductor material, two contact layers having a resistivity less than or equal to 10 kohm·cm and comprising dopants of a type opposite to that of the deep dopants of the intermediate layer, the two contact layers being arranged on either side of the intermediate layer to form two pin junctions.