PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE ADAPTEE POUR LES APPLICATIONS RADIOFREQUENCES, ET SUBSTRAT SUPPORT POUR LADITE STRUCTURE

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure adaptée pour des applications radiofréquences, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un substrat initial en silicium monocristallin, présentant une teneur en oxygène interstitiel comprise entre 6.50x1017 Oi/cm3 et 11.52x1017 Oi/cm3, et une résistivité comprise entre 200 ohm.cm et 1500 ohm.cm, le substrat initial étant destiné à former un substrat support après avoir subi successivement les étapes b) et c) subséquentes, b) l'application d'un premier traitement thermique comprenant un plateau à une température comprise entre 1100°C et 1300°C, et une rampe de descente en température supérieure ou égale à 40°C/s, sous atmosphère neutre, pour injecter des défauts de type lacunes dans le substrat initial destinés à former des centres de nucléation favorables à une précipitation de l'oxygène interstitiel, c) l'application d'un deuxième traitement thermique comprenant une première séquence de recuit à une température comprise entre 600°C et 900°C, et une deuxième séquence de recuit à une température comprise entre 950°C et 1100°C, pour générer la précipitation de l'oxygène interstitiel sous forme de micro-défauts et former le substrat support pour la structure. L'invention concerne également un substrat support en silicium monocristallin, présentant une teneur en oxygène interstitiel (Oi) inférieure ou égale à 8,5x1017 Oi/cm3, une résistivité comprise entre 200 ohm.cm et 1500 ohm.cm, et une concentration en micro-défauts (BMD) comprise entre 1x109/cm3 et 3x1010/cm3. Pas de Figure