Détecteur infrarouge amélioré via l'ingénierie de la masse effective des porteurs de charges

L'invention a pour objet un dispositif de détection de rayonnements infrarouges comprenant au moins un pixel ayant un axe selon une direction Z. ledit pixel comprenant une première structure planaire absorbante comprenant au moins une couche semi-conductrice. La composition des matériaux utilisés pour réaliser l'au moins une couche de la première structure planaire absorbante est choisie tel que : La première structure planaire absorbante présente une bande de valence effective formée par une pluralité de niveaux d'énergie. Chaque niveau d'énergie est occupé par l'un parmi : un premier type de porteurs de charges positives dénommé trous lourds présentant une première masse effective ; ou un second type de porteurs de charges positives dénommé trous légers présentant une seconde masse effective strictement inférieure à la première masse effective. Le niveau d'énergie maximal de la bande de valence effective est occupé par des trous légers selon l'axe du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 3a A device for detecting infrared radiation, includes at least one pixel having an axis in a direction Z, the pixel comprising a first absorbent planar structure comprising at least one semiconductor layer. The composition of the materials used to produce the at least one layer of the first absorbent planar structure is chosen such that: the first absorbent planar structure has an effective valence band formed by a plurality of energy levels. Each energy level is occupied by one of: a first type of positive charge carrier, called heavy holes, having a first effective mass; or a second type of positive charge carrier, called light holes, having a second effective mass strictly less than the first effective mass. The maximum energy level of the effective valence band is occupied by light holes along the axis of the pixel.