Procédé de fabrication d'une zone dopée d'un dispositif microélectronique

Titre : Procédé de fabrication d'une zone dopée d'un dispositif microélectronique L'invention concerne un procédé de formation d'une zone dopée (13) d'un transistor (1), comprenant les étapes suivantes : - Fournir un empilement comprenant au moins une couche active (12) en u...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	REBOH, Shay
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!