Procédé de fabrication d'une zone dopée d'un dispositif microélectronique

Titre : Procédé de fabrication d'une zone dopée d'un dispositif microélectronique L'invention concerne un procédé de formation d'une zone dopée (13) d'un transistor (1), comprenant les étapes suivantes : - Fournir un empilement comprenant au moins une couche active (12) en un matériau semi-conducteur, et un motif de grille (10) de transistor présentant au moins un flanc latéral (100), - Modifier une portion de la couche active (12) de sorte à former une portion modifiée (12m) en un matériau semi-conducteur modifié, ladite portion modifiée (12m) s'étendant jusqu'à l'aplomb de l'au moins un flanc latéral (100) du motif de grille (10), en bordure d'une portion non modifiée (12e, 15) surmontée par le motif de grille (10), - Former un espaceur (11) sur ledit flanc latéral (100), - Retirer la portion modifiée (12m) par gravure sélective du matériau semi-conducteur modifié vis-à-vis du matériau semi-conducteur de la portion non modifiée (12e, 15), de sorte à exposer un bord (150) de ladite portion non modifiée (12e, 15), - Former la zone dopée (13) par épitaxie à partir dudit bord (150) exposé. Figure pour l'abrégé : Fig. 2D A method for forming a doped zone of a transistor includes providing a stack having at least one active layer made from a semiconductor material, and a transistor gate pattern having at least one lateral side, and modifying a portion of the active layer so as to form a modified portion made of a modified semiconductor material. The modified portion extends down to the at least one lateral side of the gate pattern, at the edge of a non-modified portion above which the gate pattern is located. The method also includes forming a spacer on the lateral side, removing the modified portion by selective etching of the modified semiconductor material with respect to the semiconductor material of the non-modified portion, so as to expose an edge of the non-modified portion, and forming the doped zone by epitaxy starting from the exposed edge.